3级（4000V～15999V）ESDS元器件

dgwang1

  a) MOS场效应晶体管；
   b) 结型场效应晶体管；
   c) 运算放大器；
   d) 集成电路；
   e) 特高速集成电路；
   f) ESDS1级或2级不包括的所有其它微电子器件；
   g) 小信号二极管（P  1W或I0  1A）；
   h) 一般硅整流器；
   i) 可控硅整流器（I0  0.175A）；
   j) 小功率双极型晶体管（350mW  Pt  100mV 和400mA  Ic  100mA）；
   k) 光电器件（光电二极管、光电晶体管、光电耦合器）；
   l) 片状电阻器；
   m) 混合电路（3级ESDS元器件组成）；
   n) 压电晶体。